Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Kilépés
Magyarország
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Otthon > hírek > A Samsung 100 rétegű V-NAND flash memóriát állít elő, amely a vállalati szintű SSD-piac legfontosabb piaca

A Samsung 100 rétegű V-NAND flash memóriát állít elő, amely a vállalati szintű SSD-piac legfontosabb piaca

A Samsung Electronics bejelentette, hogy megkezdi az iparág első 100 rétegű V-NAND flash memóriájának gyártását, és azt tervezi, hogy bevezeti a vállalati PCSSD-re. A dél-koreai technológiai óriás azt mondta, hogy a 256 Gb3 bites V-NAND flash memórián alapuló SSD-k megkezdték a kínálatot a globális PC-gyártók számára. A 100 rétegű V-NAND vakuelemekkel, amelyek csak egy marat igényelnek, az új termék a piacvezető a sebesség, teljesítmény és energiahatékonyság szempontjából.

A ZDNet külföldi sajtó beszámolt arról, hogy a Samsung 250 GB-os SATAPCSSD-t szállított névtelen ügyfélnek.

A vállalat ez év második felében növeli a kapacitást, és 512 Gb3 bites V-NAND flash memóriát fog felhasználni SSD és eUFS termékek előállítására, hogy megfeleljenek a különböző előírásokkal szemben támasztott új követelményeknek.

A Samsung szerint a 100 vagy 6 generációs V-NAND vaku írási késleltetése csak 450μs, az olvasási válaszideje pedig 45μs.

A 90 rétegű V-NAND vakuval összehasonlítva a 100 rétegű V-NAND vaku nem csak 10% -kal növeli teljesítményét, hanem 15% -kal kevesebb energiát is fogyaszt. Ezenkívül az új eljárás csökkenti a gyártási lépéseket, csökkenti a chip méretét és 20% -kal növeli a termelést.

A jövőre nézve a Samsung új V-NAND flash memória telepítését tervezi a mobil és az autóiparban, hogy megerősítse vezető szerepét a flash memória piacán.

Korábban a dél-koreai technológiai óriás figyelmeztette, hogy a második negyedéves eredményjelentés közzététele előtt továbbra is fennállnak bizonytalanságok a társaság teljesítményében, ideértve a Japán és Dél-Korea közötti kereskedelem súrlódása által okozott feszültségeket.

A hét elején Japán eltávolította Dél-Koreát a kereskedelmi partnerek engedélyezési listájáról, és a múlt hónapban korlátozásokat vezetett be a félvezetők gyártásában használt kulcsfontosságú anyagokra.

A koreai SK Hynix ellenére annak vezetése a vállalatokat arra utasította, hogy vészhelyzeti terveket dolgozzanak ki. Úgy tűnik, hogy a Samsung nem annyira elbűvölő, hanem úgy döntött, hogy az év második felében folytatja a termelésbe történő beruházást.

Végül, tekintettel a memóriaipar nyereségének és keresletének hirtelen csökkenésére, a társaság második negyedévi működési eredményét várhatóan felére kell csökkenteni az előző év azonos időszakához képest.