Otthon > hírek > Áttörés! A Kioxia 170 rétegű NAND flash memória termékeket fejlesztett ki

Áttörés! A Kioxia 170 rétegű NAND flash memória termékeket fejlesztett ki

A japán chipgyártó, a Kioxia körülbelül 170 réteg NAND flash memóriát fejlesztett ki, és ezt az élvonalbeli technológiát a Micronnal és az SK Hynix-szel együtt megszerezte.


A Nikkei Asian Review arról számolt be, hogy ezt az új NAND memóriát az amerikai Western Digital céggel közösen fejlesztették ki, és adatírási sebessége több mint kétszerese a Kioxia jelenlegi legfelső termékének (112 réteg).

Ezenkívül a Kioxia sikeresen több memóriacellát is telepített az új NAND minden rétegére, ami azt jelenti, hogy az azonos kapacitású memóriához képest több mint 30% -kal képes zsugorítani a chipet. A kisebb chipek nagyobb rugalmasságot tesznek lehetővé az okostelefonok, szerverek és más termékek gyártásában.

Úgy tűnik, hogy a Kioxia a jelenleg zajló Nemzetközi Szilárdtest-áramköri Konferencián tervezi elindítani új NAND-ját, és várhatóan már a következő évben megkezdi a tömeggyártást.

Az 5G technológia térnyerésével, a nagyobb léptékű és gyorsabb adatátvitel révén a Kioxia reméli, hogy képes lesz kielégíteni az adatközpontokkal és az okostelefonokkal kapcsolatos keresletet. A verseny azonban ezen a területen fokozódott. A Micron és az SK Hynix 176 rétegű NAND-ot jelentett be a Kioxia előtt.

A flash memória kibocsátásának növelése érdekében a Kioxia és a Western Digital tervei szerint ez év tavaszán 1 billió jen (9,45 milliárd dollár) gyárat építenek a japán Yokkaichiban. Céljuk az első gyártósorok megnyitása 2022-ben. Ezenkívül a Kioxia számos gyárat is felvásárolt a japán Kitakami gyár mellett, hogy a jövőben szükség szerint bővíthesse termelési kapacitását.